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米级单晶CVD系统
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CVD(ChemicalVapor Deposition,化学气相淀积),指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。


CVD方法是目前诸多薄膜、二维材料的有效生长方法。


沃根瑞特公司开发的米级大腔体管式CVD系统,配备200mm直径超大样品生长腔,可达1Pa级真空,温度范围 1100℃(更高温度可选),手动进出样品和半自动进出样品控制系统可选。


系统包括:

CVD生长腔;气路系统;真空系统;半自动进出样腔


主要参数:

样品腔:φ200mm×1200mm

气压范围:1Pa- 1大气压

温度范围:室温~1100℃

功率:6kW

末端口:不锈钢法兰接口(手动)/半自动进出样腔(半自动)

进样方式:手动/半自动

生长气体:

Ar: 40L,配惰性气体减压阀,质量流量计,流量0-1000sccm;

H2: 40L,配氢气减压阀,质量流量计,流量0-200 sccm;

CH4:40L,配减压阀,质量流量计,流量0-10 sccm   (更大量程可选)